- Чёрный Galaxy S26 Ultra станет очень чёрным:... (6498)
- Новая статья: Обзор игрового WQHD... (7513)
- Toyota, Mitsubishi и УАЗ заняли половину... (8175)
- Авария на Байконуре: стартовый комплекс №31... (6457)
- Сословное право доступа: из-за дефицита... (9071)
- В России взлетели продажи BMW — немецкая... (8205)
- «Боевой ангел» Vivo S50 получит Snapdragon... (6147)
- Сверхточный нагрев и никакого ожидания... (7879)
- Assassin's Creed Shadows пошла по пути... (7692)
- Audi представила новый мотор V6 TDI: 295... (5558)
- 100 Вт в кармане — всего за 35 долларов:... (5778)
- В Китае намекнули на создание многочиповых... (6559)
- Honor представила компактный проектор с... (5600)
- Samsung планировала улучшить камеру в Galaxy... (6895)
- Airbus уже семь лет переезжает с Microsoft... (5356)
- Трассировка лучей на ПК, «Новая игра +» и... (6226)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...