- Минивэн уровня бизнес-джета со... (4630)
- Минивэн уровня бизнес-джета и... (4341)
- Бывший глава Intel Гелсингер заявил, что к... (4081)
- Физические кнопки возвращаются:... (3898)
- Samsung услышала пользователей. Выпущено... (4766)
- Samsung услышала пользователей дорогих... (4277)
- Mazda CX-5 нового поколения получил сервисы... (5077)
- Представлен Mazda CX-5 нового... (4524)
- Первый Starship нового поколения уже почти... (4250)
- Представлен робот Disney с искусственным... (4852)
- Disney представила робота с искусственным... (4174)
- Узлы будущего высокоскоростного российского... (3573)
- 70 Вт в кармане. Очень компактная зарядка... (3838)
- В Тольятти засняли прототип Lada Azimut в... (4220)
- Стартовали продажи Volkswagen Tayron L 2026:... (4179)
- «Китайский Porsche» под названием Exeed ET5... (3656)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...