- Так дальше продолжаться не может:... (6255)
- Видео по текстовому запросу, улучшенный... (4893)
- Grok Илона Маска стал ещё лучше: видео по... (6322)
- Строительство новых российских спутников... (4734)
- SpaceX поджигает тепловой щит Starship на... (5064)
- Крупные производители ПК нагнетают: ИИ-бум... (5113)
- Рост цен на память на фоне бума ИИ... (6660)
- Представлен самый внедорожный Mitsubishi... (6684)
- Роботы Fanuc и Yaskawa, 760 граммов воска и... (7681)
- Тайваньские следователи обыскали дома... (6721)
- Как построить 5000-ваттный GPU будущего —... (6482)
- Аккумулятор больше 8000 мАч, 100 Вт, 165 Гц,... (7946)
- Аккумулятор больше 8000 мАч, 100 Вт, 165,... (5537)
- Steam наконец стал 64-битным — 32-битному... (7927)
- Большой кроссовер Geely с просторным... (7389)
- Cвежие Isuzu D-MAX 2025 появились на... (7866)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...