- Продажи Tesla рушатся по всему миру — Маск... (4315)
- Учёные, возможно, впервые зафиксировали... (4155)
- Переосмысление классики психологических... (5581)
- OnePlus 15R станет первым глобальным... (3358)
- Китай против Nvidia: владельцу TikTok... (4926)
- «Жи-ши пиши»: в МГУ и Яндексе создали первый... (4084)
- Сервис ИИ-генерации Suno заключил... (4095)
- Опубликованы фото будущего флагманского... (3630)
- Лента рекомендаций YouTube станет лучше?... (4031)
- В этот день в 1996 году в США выдали патент... (3877)
- Всего 7,9 млн рублей за большой кроссовер с... (3514)
- «ChatGPT — это продукт, а не друг»:... (6121)
- Ubisoft представила Teammates — прототип... (6138)
- Очередной рекорд разгона DDR5 — покорена... (3953)
- Пожизненный доступ к злодейскому ИИ WormGPT... (4461)
- Россия доставила во Францию ключевое... (7501)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...