- Голосовой режим ChatGPT встроили в чат — он... (5886)
- Black Forest Labs представила ИИ-генератор... (5467)
- Суверенный фонд Саудовской Аравии столкнулся... (4388)
- «Блокнот» в Windows 11 получил поддержку... (4384)
- Мультиплеерный экшен Spellcasters Chronicles... (4624)
- Тиранид-прайм, новая операция и Кровавые... (3657)
- Культовый хоррор Cold Fear в духе Resident... (6366)
- «Алиса, открой шторы»: «Яндекс» показал... (5698)
- Huawei представила «спутниковую рацию» для... (4806)
- Google вернула себе трон ИИ: Gemini 3... (5675)
- Дефицит оперативной памяти выходит из-под... (4034)
- Huawei представила четыре флагмана Mate 80 —... (6518)
- Китай запустил первую в своей истории... (5741)
- Российскому интернету грозит «помутнение»:... (3895)
- «"Герои" — для всех»: разработчики Heroes of... (4141)
- Сооснователь Google Ларри Пейдж стал вторым... (3890)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...