- Новая статья: Лучший процессор за 20 тысяч... (3019)
- Китайцы предпочитают BYD, Volkswagen и... (2734)
- Российские учёные создали передовой... (3061)
- Российский вездеход «Русак» перевели на... (3116)
- «Шишига из будущего»: на выставке «Поехали»... (3210)
- Российский вездеход будущего. Представлен... (2549)
- Новый Haval H6L представят 18 ноября:... (2412)
- Владельцы Hyundai Santa Fe подали... (2922)
- Представлен Subaru BRZ STI Sport Type RA — с... (3220)
- В России представили Subaru Forester шестого... (2905)
- В Москве показали доработанный Zeekr 009, на... (2379)
- Intel Core Ultra 290K, 270K и 250K получат... (2833)
- Китайская Lisuan Tech разослала партнёрам... (3108)
- Apple не планирует выпускать новый Mac... (2296)
- SilverStone показала корпус FLP03 в стиле... (3151)
- Игровой движок Unreal Engine 6 выпустят... (3254)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...