- Zeekr нарастила доход и поставки... (2895)
- Магнитные шерстяные подголовники и наборы... (4516)
- Беспроводная ТВ-акустика для более... (4678)
- «Звезда Смерти» и шлем Дарта Вейдера.... (3071)
- АвтоВАЗ раскрыл детали большой модернизации... (2992)
- SpaceX запустила на орбиту аппарат для... (4256)
- Tank, который лидирует среди премиальных... (4468)
- Новая Splinter Cell умерла из-за увлечения... (4173)
- Новые Toyota Camry с дилерской гарантией... (3223)
- Семиместные Volkswagen Touran в России... (2815)
- Запас хода до 1240 км, расход 5,5 л/100 км и... (3486)
- BMW iX3 нового поколения получит систему... (2889)
- Это рекорд для китайских брендов: продажи... (2629)
- Geely представила серию премиальных... (2645)
- Полноприводный GWM 2026 Cannon будет... (3224)
- Короткий всплеск позади: российский... (3231)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...