- Россияне выбирают Xiaomi, MSI, Acer и... (4850)
- Потомки мух, уже побывавших в космосе,... (5765)
- Сразу два облака солнечной плазмы от... (7901)
- Китайцы готовятся к взрывному росту... (3076)
- Еврокомиссия готовит пересмотр регламента по... (3710)
- «Живая сталь» стала реальностью. Гуманоидные... (5949)
- «Википедия» призвала ИИ-компании прекратить... (3666)
- «Википедия» призвала ИИ-компании прекратить... (6268)
- КамАЗ вернулся к пятидневной рабочей... (4519)
- OpenAI попробует свои силы в сфере услуг... (4701)
- OpenAI идёт в медицину — на фоне череды... (6225)
- Intuitive Machines заходит в высшую лигу:... (6690)
- Китайская ракета Ceres-1 потерпела аварию:... (4136)
- MeerKAT расставил точки над i: межзвёздная... (5187)
- SpaceX зовут на помощь экипажу... (6398)
- Поддержанный Сэмом Альтманом стартап... (3952)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...