- iOS 27 принесёт тройку мощных ИИ-функций для... (3904)
- Samsung Galaxy S26, Galaxy S26 Plus и Galaxy... (4402)
- Новый Nissan Sentra вышел в продажу в США:... (4725)
- Samsung Galaxy S26 Ultra получит самый... (4264)
- Apple собирается превратить каждый iPhone в... (4820)
- Представлена внедорожная версия совершенно... (4358)
- Британское министерство завершило апгрейд до... (4285)
- Тодд Говард объяснил, почему система... (4468)
- Когда-то Intel была лидером, а теперь её... (5345)
- Недорогая башня с экранчиком и одна... (6274)
- «Кинопоиск» будет показывать чужие фильмы,... (5406)
- Firefox обновился: у браузера появился новый... (4874)
- Слухи: переиздание Fallout 3 будет похоже на... (5180)
- Мини-ПК с Ryzen AI Max+ 395 за 2000 долларов... (6116)
- Китай довёл число орбитальных запусков в... (7197)
- Спустя семь лет после анонса The Elder... (5734)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...