- 40-кратное приближение на камере смартфона... (3621)
- Google сделает режим ИИ в поиске более... (2424)
- Глава Nvidia всё ещё надеется когда-нибудь... (3126)
- Nexperia прекратила поставки полуфабрикатов... (3228)
- Microsoft будет называть обновления Windows... (4322)
- «Ростелеком» запустил массовое производство... (3116)
- Wildberries начала тестировать доставку на... (2429)
- Энтузиаст упаковал Windows 7 дистрибутив... (4300)
- Как привязать электронную почту к Telegram,... (3136)
- Google выпустила свой первый рекламный... (2574)
- США могут первыми в мире взрастить... (2920)
- «Самый важный и значимый момент в жизни»:... (2747)
- Вышли глобальные версии смартфонов Vivo X300... (2439)
- Американский регулятор выдал планы Konami на... (3031)
- «Яндекс» выпустила ИИ, который поможет... (4274)
- AMD лишила видеокарты RDNA и RDNA 2 игровых... (4137)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...