- По-современному умную Siri придётся ещё... (2629)
- Совершенно неожиданная польза беспилотных... (2484)
- Аккумулятор емкостью около 9000 мАч,... (2915)
- OpenAI представила ИИ-агента Aardvark для... (2952)
- Цены на мини-ПК повысятся из-за удорожания... (2746)
- Это Sapphire, но не видеокарта, а целый ПК.... (2511)
- GeForce RTX 5090 и RTX 5080 наконец-то... (2778)
- Аналитики Omdia назвали крупнейших... (4358)
- Исследование показало, что американские и... (4485)
- Учёные засекли новые аномалии у межзвёздной... (2668)
- Geely Emgrand нового поколения с дизайном... (2720)
- OpenAI научила GPT-5 лучше выявлять... (5091)
- Авторы амбициозного мультиплеерного мода для... (4303)
- NVIDIA представила платформу IGX Thor для... (2877)
- Официально: в России начали выпускать... (2625)
- Samsung, Hyundai и другие южнокорейские... (3060)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...