- Google прокачала ИИ-блокнот NotebookLM — он... (3818)
- Google прокачала ИИ-блокнот NotebookLM — он... (4983)
- Разработчик провального ИИ-гаджета Rabbit R1... (4719)
- MediaTek представила процессор Kompanio 540... (3910)
- Microsoft починила Media Creation Tool —... (3077)
- МАЗ представил микроавтобус бизнес-класса:... (4073)
- Voyah и Li Auto подмяли под себя российский... (4200)
- AMD выпустила драйвер с поддержкой Ryzen AI... (3766)
- YouTube начнёт автоматически улучшать видео... (3359)
- Масштабный сбой в Microsoft Azure вывел из... (4718)
- Changan завалит Россию новинками: помимо... (5730)
- Microsoft начала распространять новый «Пуск»... (3554)
- «Мир движется в странном направлении»: Дуров... (4285)
- Redmi K90 Pro Max превзошел Xiaomi 15 Ultra... (4892)
- Очень тонкий смартфон с аккумулятором 4800... (4000)
- Экстремальный КамАЗ для экстремальных... (3517)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...