- OpenAI представила две почти открытые модели... (4206)
- Cameo подала в суд на OpenAI из-за названия... (3910)
- В Wildberries запустили виртуальную... (4125)
- Samsung нашла способ ускорить платформу... (3440)
- Брошенный Microsoft амбициозный шутер от... (3959)
- В домене .рф станет доступен для регистрации... (3675)
- Домашний анализатор мочи с онлайн-подпиской... (3729)
- Редкие «Жигули»-универсал Lada 1200 в... (4036)
- Всё ещё необычный дизайн, но теперь вместо... (4972)
- В России анонсировали обновленный Tank 300:... (3576)
- Windows 11 научилась проводить... (3517)
- «Алиса AI» взлетела в рейтингах бесплатных... (3486)
- «МТС Оплата» разыгрывает Asus Rog Phone 9... (4656)
- Withings наконец запустила продажи умного... (5315)
- Не только короткая, но и низкая видеокарта.... (5455)
- Seagate подключилась к сбору сливок с... (3724)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...