- Nothing объявила дату анонса Phone (3a) Lite... (3835)
- «ГАЗон Next» получил систему стабилизации и... (4170)
- Отечественный сервер МЛТ-С от «Азимута» и Т1... (4004)
- Exeed представил флагманский кроссовер... (4054)
- Первый в мире источник термоядерной энергии:... (3736)
- В России поменялись цены на Geely Atlas... (3633)
- Третья молодость Zen 2 и Zen 3+: AMD опять... (3499)
- Третья молодость Zen 2 и Zen 3+: AMD опять... (3687)
- BNP Paribas: только инвестиции в ИИ... (4384)
- Самый дешёвый Nothing Phone. Выход Nothing... (3492)
- Официальные Hongqi соответствуют требованиям... (3728)
- Intel Core Ultra 7, GeForce RTX 5050, 1600p,... (3765)
- «Ни один космический аппарат не выживет».... (3271)
- Для кладовки и машино-места: в «Госуслуги... (3872)
- Глава Microsoft Gaming Фил Спенсер прояснил... (6927)
- Журналисты показали, как выглядела... (3987)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...