- Во «ВКонтакте» запустили «Тренды» в... (3677)
- Британские власти выделят Королевской почте... (3580)
- Baseus выпустила пауэрбанк на 20 000 мА·ч с... (3626)
- «Китайский Hummer» M-Hero 817 впервые... (3796)
- Можно собрать видеокарту, блок питания и... (3630)
- ASRock выпустила Radeon RX 9060 XT... (3840)
- Китайцы построили суперкомпьютер размером с... (4934)
- Большой кроссовер на платформе Volvo XC90 с... (3918)
- 7800 мАч, Snapdragon 8 Elite, экран 1,5К 165... (3644)
- МосБиржа запустила расчет индекса... (4089)
- Xiaomi выпустила умное покрывало, которое... (4028)
- В России продают копию... (4777)
- Представлен OnePlus 15: экран OLED 1,5K 165... (3862)
- Новый процессор AMD имеет всего два ядра без... (3759)
- Нужно лишь припаять одно сопротивление, и... (4103)
- Nothing объявила дату анонса Phone (3a) Lite... (3829)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...