- Cadillac обещает полную автономию для IQ:... (5376)
- Впервые в России: автомобиль-беспилотник... (6273)
- Американские ЦОД начали применять реактивные... (5350)
- В OpenAI Sora появятся функции камео и... (4757)
- 144 Гц, 5,93 мм при 5160 мА·ч: стартовали... (3992)
- Strava передумала судиться с Garmin и... (5867)
- Новые взаимодействия, QTE и мини-игры:... (4757)
- Илон Маск снова наобещал с три короба:... (4466)
- Необычное последствие: сбой серверов AWS... (5759)
- This is fine: «Google Фото» научится... (6018)
- Google на практике доказала квантовое... (6269)
- АвтоВАЗ и Максим Соколов попали под санкции... (4292)
- Китай может стать первой страной, которая... (6184)
- Российский ответ «Готике» задерживается — Of... (5313)
- Скоро запуск в Питере и Казани: Яндекс... (3972)
- «Самый мощный iQOO Neo в истории» получит... (5102)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...