- Радость для одиноких. В ChatGPT добавят... (4222)
- Итальянцы приделали ИИ к ветрякам — и те... (3972)
- NASA может сократить бюджет миссии «Вояджер»... (5125)
- DJI подала апелляцию на решение суда США о... (4279)
- Компактный смартфон с 200-мегапиксельной... (5530)
- Samsung представила 2-нм чипы Snapdragon 8... (5267)
- Discord нашла виноватого в утечке данных... (3828)
- Графическое ядро нового процессора Intel... (5334)
- Разъём питания 12V-2x6/12VHWPR впервые... (3847)
- Oracle купит 50 000 ИИ-ускорителей... (8150)
- Google Gemini представлен в серийном... (4494)
- Google Meet теперь умеет накладывать... (4176)
- Новый Lexus ES выйдет в Японии в 2026 году —... (4263)
- Эту акустическую систему Edifier визуально... (4284)
- Разработчики No, I’m not a Human... (4111)
- Microsoft ответит в суде за слишком дорогую... (4382)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...