- Steam установил новый рекорд пикового... (5265)
- Lada Niva с новым мотором 1,8 литра:... (6136)
- 8,68 дюйма, IP68/IP69K, MIL-STD-810H, 6600... (5032)
- Ультратонкая рамка 1,15 мм, 165 Гц и... (6372)
- Умные очки Apple будут работать в разных... (4955)
- Нидерланды захватили контроль над... (4852)
- Две области на Солнце размером в 10 раз... (5559)
- Lada Granta с дефектами ступичных... (6759)
- «Она захватила мою жизнь, помогите!»:... (4909)
- Lexus выходит на новый уровень. Флагманский... (9783)
- Tenet показал себя на старте втрое слабее,... (5599)
- Анонсирован защищённый смартфон Oukitel WP58... (6555)
- А почему бы и не поднять цены, раз такой... (5591)
- «Машина очень хороша, намного лучше, чем... (4456)
- Warner Bros. так уверена в успехе «Мортал... (6094)
- Китайские учёные создали память толщиной в... (5042)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...