- Вложи $5 млн — получи $75 млн: NVIDIA... (5469)
- Вложи $5 млн — получи $75 млн: NVIDIA... (5680)
- Вложи $5 млн — получи $75 млн: NVIDIA... (5039)
- Новая статья: Обзор материнской платы MSI... (5276)
- К концу 2025 года в Калининграде начнут... (5059)
- Более хардкорный, чем Pajero. В России... (5144)
- «Звездолёт готов к полёту». SpaceX показала... (5850)
- Очень нетипичный игровой ноутбук. Acer... (5338)
- Астрономы впервые получили изображение двух... (5541)
- Процессоры Intel неожиданно подорожали,... (5125)
- GeForce RTX 5070 Ti с огромной дыркой в... (5058)
- Астрономы обнаружили самый лёгкий «тёмный»... (5968)
- Учёные MIT удвоили точность оптических... (5254)
- Легендарный «сарай» Volvo V90 — всё: Volvo... (4983)
- США и Китай пошли к технологическому... (5215)
- Xiaomi представила «убийцу формальдегида» —... (5167)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...