- Пользователи ChatGPT снова могут удалять... (6097)
- Microsoft получила доступ к 100 000 Nvidia... (5389)
- AMD представила Solarflare X4 — новые... (6399)
- Athena1 от SiPearl — самый защищённый... (5716)
- Классификация Урана и Нептуна как «ледяных... (6789)
- Ferrari представила платформу Elettrica с... (6610)
- Арт-директор Halo покинул студию после 17... (6502)
- Dimensity 9500, 7500 мА•ч,... (7053)
- Самый большой летающий объект в истории... (6447)
- Один из основателей ИИ-стартапа Thinking... (6736)
- Один из основателей ИИ-страртапа Thinking... (6682)
- 100 дюймов, аппаратная поддержка 4K,... (5551)
- 100 и 116 дюймов, 165 Гц (VRR до 288 Гц),... (6784)
- В наши дни все высокопроизводительные... (6519)
- Внешний аккумулятор для ноутбука мощностью... (5598)
- Производство чипов в наши дни требует... (7041)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...