- В Steam и на консолях вышел фэнтезийный... (7300)
- «МТС Банк» встроил банковскую карту в SIM, и... (5445)
- Альтернатива бумажному паспорту: в... (6531)
- Российские цены на тонкий Apple iPhone Air... (4889)
- «Газон Next» получил новый российский мотор:... (6253)
- Intel представила графическую архитектуру... (6002)
- Запрет установки Windows 11 с локальным... (6219)
- Bethesda привлекла авторов фанатской... (5290)
- SoftBank объявила о покупке... (5891)
- Intel представила апскейлер XeSS 3 и... (5407)
- «Невозможно тонкий» смартфон Motorola Edge... (5840)
- Ремастер ролевого экшена Sacred 2: Fallen... (6844)
- Motorola готовит к выпуску радикально тонкий... (6446)
- Человечество приняло ИИ быстрее, чем... (5494)
- Внедорожники Toyota Tacoma IV 2025 TRD Off... (6027)
- «Безответственный» ИИ: большинство компаний... (5225)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...