- AMD обгонит Nvidia по техпроцессам: в... (6414)
- Как «Нива» вернётся на европейский рынок:... (6354)
- Alibaba займётся созданием интеллектуальных... (6350)
- «Кирпич» уйдёт в историю: Hyundai Santa Fe... (5617)
- Salesforce не будет платить выкуп хакерам,... (8661)
- МТС планомерно отключает 3G: еще в девяти... (5566)
- В Сети появились слухи о твердотельных... (6442)
- Российский завод Haval выпускает почти 500... (4867)
- В Чехии новые Lada Niva продаются заметно... (6874)
- Чипы AMD для ускорителей Instinct MI450... (5656)
- «Почти во всём, к чему причастен Илон,... (4621)
- Чипы будущего примеряют бриллианты — новым... (5455)
- В России предлагают кардинально изменить... (5878)
- Дженсен Хуанг отправил в Samsung гарантийное... (5820)
- В iFixit докопались, как работают волноводы... (6310)
- «Людям надоели одинаковые фото» — альянс... (8126)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...