- Американские претензии к ASML из-за поставок... (6487)
- Qualcomm приобрела Arduino и представила... (6516)
- Представлен смартфон Realme 15 Pro в стиле... (6153)
- Доказано: ключевые для здоровья человека... (6954)
- Советская «Лада», доработанная немецким... (6607)
- Onyx представила смартфоноподобную читалку... (8355)
- Разработчик Baldur’s Gate 3 бросил тень на... (6497)
- У Gemini обнаружили уязвимость с подменой... (6497)
- Apple высмеяла Windows 11 в 8-минутном... (5818)
- Гибрид голосовой связи и текстового... (8295)
- МТС запустил «Звонок в чат»: гибрид... (8236)
- Техногиганты США приостановили развитие ЦОД... (8474)
- Во «ВкусВилл» без паспорта: заработало... (8417)
- Ловкость рук и никакого мошенничества:... (7118)
- Владельцы новых Lada Largus жалуются на... (8594)
- Activision отметит релиз Battlefield 6... (6856)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...