- ИИ стал главным каналом утечки данных в... (6349)
- Расход всего 3,5 л или 10,6 кВтч на 100 км и... (7184)
- Новые Hyundai Santa Fe оказались... (8745)
- На новостях о повышении утильсбора россияне... (6701)
- На Китай приходится более половины мировых... (6074)
- BYD вывела Denza и Leopard на рынок Северной... (6297)
- Слухи о дороговизне 2-нм чипов, выпускаемых... (6746)
- 252 л.с., 9-ступенчатый «автомат» и полный... (7180)
- «Период охлаждения». В России ввели... (7467)
- До 16 ядер Zen 5 в AM5: AMD представила чипы... (6981)
- Впервые возобновляемые источники энергии... (6825)
- Новый турбодизель объёмом 3 литра для Tank... (7926)
- Кризис рынка полупроводников в прошлом:... (6294)
- Мультимедийное будущее наступило: как... (6622)
- 7500 мАч против 4823 мАч: Xiaomi 17 Pro Max... (6695)
- Компактный OLED-экран разрешением 1,5K,... (7054)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...