- ИИ из Принстона улучшает надёжность и... (6164)
- Sora поделится прибылью — OpenAI предложит... (5860)
- OpenAI предложит правообладателям механизмы... (6626)
- Флагманский смартфон Samsung W26 представят... (6641)
- Выпущена GeForce RTX 3080 с 20 ГБ памяти,... (5878)
- Неубиваемый смартфон Honor X9d с батареей... (8705)
- Взлетевшая до $100 000 цена на визы для... (6211)
- Властям США придётся ответить в суде за... (6127)
- Ключевой завод Toyota сильно пострадал,... (6915)
- Гигантские дата-центры в космосе превзойдут... (7353)
- «Там есть солнечная энергия 24/7».... (6555)
- Мини-ПК с процессорами Ryzen AI 200, 64 ГБ... (6103)
- Китай погрузит дата-центры под воду, чтобы... (6802)
- Китай запустит эксплуатацию подводных... (5956)
- Xiaomi SU7 уехал от владельца не просто так:... (6084)
- Не только Starship: SpaceX запустила... (5939)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...