- «Это ИИ, а не ДУ». Илон Маск показал, как... (5701)
- 16-ядерный Intel Core i9-12950HX, очень... (5545)
- Nubia показала фото, сделанные... (5811)
- Новая статья: Cultic — кровавая жатва.... (5503)
- Обратная сторона Луны действительно холоднее... (6013)
- ESA опубликовало впечатляющий видеотур над... (6020)
- SpaceX получила контракт на запуск четырёх... (6228)
- Данные «Кассини» подтвердили наличие сложной... (5879)
- Данные «Кассини» подтвердили наличие сложной... (6304)
- Впервые выделено собственное рентгеновское... (6062)
- Астероид пролетел мимо Земли почти на уровне... (5547)
- Caviar представила спецверсии iPhone 17 Pro... (6166)
- «Моё кунг-фу сильнее твоего»: робот Tesla... (6312)
- Новый Audi RS6 Avant 2026 засняли вживую:... (6574)
- Четыре видеокарты со 192 ГБ видеопамяти... (5416)
- Можно выдыхать: на Земле завершилась... (6227)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...