- Тизер нового компаньона в дополнении... (6390)
- Anthropic выпустила Claude Design —... (7051)
- В США втихую запустили крупнейшую ветряную... (6828)
- До 4 Тбайт китайской флеш-памяти со... (5888)
- Европейские стартапы обещают обогнать... (6493)
- Инсайдер: в Game Pass может появиться тариф... (7577)
- Глава Nvidia: у Китая уже есть всё, что... (6706)
- Asus уточнила, какие блоки питания получат... (6948)
- «Теплозащитный экран выглядел великолепно»:... (6396)
- Google рассказала, как правильно... (8770)
- Хардкорный шутер Road to Vostok от финского... (7104)
- Microsoft переделывает «Пуск» с нуля:... (6860)
- Steam запустили на Nintendo... (6335)
- Apple исправит ошибку с блокировкой iPhone... (6701)
- OpenAI получит долю в конкуренте Nvidia в... (7373)
- «Группа Астра» выпустила инструмент для... (7359)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...