- Осуждённый основатель Nikola Motor теперь... (189)
- Оптимизация действительно на голову выше,... (254)
- Samsung Galaxy S26 Ultra впервые получил... (164)
- Intel неожиданно выпустила новый процессор... (430)
- Москвичи начали получать SMS об ограничениях... (290)
- Colorful выпустила видеокарту iGame GeForce... (189)
- Совершенно новый Geely Atlas, да ещё и... (265)
- Игровые ноутбуки Lenovo LOQ с процессорами... (293)
- Новая статья: Обзор и тест процессорного... (278)
- «Процессоры Vera вдвое превосходят по... (326)
- В Ижевске запустили производство модулей для... (165)
- Первый тест двигателей Raptor 3 пошел не по... (197)
- Lenovo представила Legion G9 — то ли... (356)
- У этой видеокарты два разъёма питания,... (256)
- Новая схема мошенничества с GeForce RTX 5090... (150)
- В феврале автомобили Tesla Robotaxi почти не... (299)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...