- Конец эпохи бензиновых Jaguar: компания... (207)
- «Подарок» на Рождество: по всему миру... (179)
- Опубликованы живые фото OnePlus Turbo: 9000... (211)
- «Эта игра будет особенной»: амбициозный... (374)
- SpaceX в рекордные сроки собрала самый... (361)
- Принципиально новая платформа, оцинковка,... (338)
- Tank 300 — самый популярный внедорожник... (308)
- Новым предновогодним подарком в Epic Games... (335)
- Очень ремонтопригодные ноутбуки. Lenovo... (481)
- NASA приостановит операцию по спасению... (612)
- Samsung передумала сворачивать производство... (525)
- Игроки Eve Online за 2025 год уничтожили... (468)
- Nvidia протестировала техпроцесс Intel 18А,... (416)
- Ocypus представила практичные корпуса Iota... (675)
- BitLocker будет меньше тормозить ПК —... (483)
- Цены на DDR4 взлетели до 60 долларов за 16... (574)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...