- Постапокалиптический шутер Metro 2039 выйдет... (14)
- Atlus подтвердила дату выхода Persona 4... (17)
- Gears of War: E-Day выйдет 6 октября на PC и... (180)
- Новый трейлер раскрыл дату выхода Fable, в... (332)
- ASML стала самой дорогой компанией в истории... (348)
- Чипсет AMD B650 превратили в плату... (847)
- Анонсирована Guild Wars 3 — масштабная... (669)
- Сравнение смартфонных чипов показало... (786)
- ChatGPT получил крупнейшее обновление и... (584)
- OpenAI добавила ChatGPT режим блокировки для... (825)
- У Rutube появится первый собственный ЦОД... (701)
- «Новая брутальная глава»:... (839)
- Molex представила многоканальную шину с... (1006)
- MediaTek продемонстрировала оптический... (707)
- Первые флоппи-диски были запатентованы 54... (928)
- Intel и Hitachi договорились о... (1012)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...