- Sunwoda представила полимерные твердотельные... (109)
- В сфере ИИ компания Intel сосредоточится на... (169)
- Samsung Galaxy S24, Galaxy S24 Plus, Galaxy... (104)
- Oppo Find X9 Ultra может получить самую... (100)
- Владеющая национализированной в Нидерландах... (201)
- Японцы превратили кроссовер Toyota Raize в... (191)
- Супертонкий Moto X70 Air оказался недорогим:... (122)
- Не спешите сдирать: iQOO объяснила, зачем... (147)
- Китайская YMTC настроена полностью перейти... (234)
- Учёные создали носимый датчик для... (245)
- Владельцам iQOO 15 посоветовали не снимать... (292)
- Thales Alenia Space открыла в Риме «умный... (395)
- К масштабному сбою AWS привела ошибка в... (458)
- Впервые за пределами Млечного Пути... (541)
- Телескоп TESS обнаружил вторую систему... (353)
- Впервые за пределами Млечного Пути... (515)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...