- «Джентльмены, время рыдать. Снова»: Netflix... (3)
- Космические похороны пошли не по плану:... (111)
- Esperanto, создатель уникального... (216)
- Esperanto, создатель... (278)
- Новая статья: Death Stranding 2: On the... (285)
- Новая статья: Gamesblender № 733:... (297)
- Глобальные выбросы углекислого газа... (348)
- Очередной самый быстрый в мире процессор, и... (361)
- Intel пошла ва-банк, но проиграла? Компания... (381)
- Google незаконно собирала данные со... (358)
- Xiaomi выпустила на глобальный рынок... (321)
- Цены на видеокарты GeForce RTX 50 активно... (313)
- С начала года технологические компании США... (371)
- Названы Xiaomi, Redmi и Poco, которые... (428)
- Плазменная структура размером более миллиона... (382)
- iPhone 16 Pro Max неожиданно поднялся на... (339)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...