- Super Heavy Booster 21 ночью вывезли на... (59)
- Starlink появится на 120 самолётах... (60)
- Стало известно, сколько человекоподобных... (64)
- AMD разработала технологию тетраэдрических... (66)
- 9 антенн, 5000 мА•ч и до 14,5 часа работы.... (48)
- Rokid анонсировала «более человечные» очки... (58)
- Представлена сушилка Xiaomi с 50-дюймовым... (58)
- Похоже на геймпад для PlayStation 2, но это... (59)
- Гендир Acer рассказал, когда цены на ПК... (68)
- 720 Гц и Tandem WOLED. LG представила новый... (85)
- Дебютировал смартфон Realme 16 Pro Harry... (82)
- Экшен-камера GoPro Mission 1 Pro ILS со... (87)
- iPhone 18 Pro разобрали до винтика. В iFixit... (88)
- Запас хода до 1230 км и 449 л.с.... (82)
- Toyota выходит на рынок EREV: производство... (83)
- Новые кроссоверы Xiaomi SkyNomad выстроили в... (82)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...