- Китайские ученые: на обратной стороне Луны... (51)
- Новая статья: Gamesblender № 700: угроза... (57)
- На проекте термоядерного реактора ИТЭР во... (65)
- Белорусские лонжероны, 130 км/ч,... (70)
- Китайская ракета «Большого скачка в космос»... (109)
- «Теперь это возможно». Илон Маск готов... (170)
- Стартап xAI Илона Маска получит от арабов $5... (137)
- Сандийские национальные лаборатории... (157)
- Российскому космическому телескопу рано на... (135)
- Пара чёрных дыр влетела в межзвёздное облако... (151)
- В России начнут выпускать копию... (169)
- Грузовой корабль «Прогресс МС-29»... (166)
- Как на Raspberry Pi 5 запустить Doom... (336)
- Отходы производства бурбона могут стать... (268)
- Межпланетная станция «Гера» поддала газу и... (233)
- Samsung гигантским скачком вернула себе... (261)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...