- В «Росатоме» изготовили первую партию... (212)
- Индийская ракета LVM3 вывела на орбиту самый... (218)
- Цены на Lada повысят сразу после праздников:... (270)
- Наконец-то OLED-монитор с прямым... (192)
- 8000 мАч, 165-герцевый экран Samsung,... (260)
- Холдинг Трампа слился с разработчиком... (153)
- «Билайн»: малый бизнес чаще выбирал... (199)
- Чтобы OLED снова был чёрным. Asus готовит... (200)
- Как вручную активировать в Windows 11... (230)
- Это новый смартфон Honor за 100 долларов.... (293)
- В России стартовали продажи Haval H5 2025:... (285)
- Вот бы и в Windows так. Обновление ядра... (292)
- 32 дюйма 6K, 27 дюймов 5K и 240-герцевый... (396)
- Оперативная память для iPhone 17 Pro... (383)
- ИИ подскажет, как выглядит сцена: в «Яндекс... (310)
- Samsung представила первый в мире монитор с... (214)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...