- RTX 5080, чтобы поиграть в 1440p. Авторы 007... (1)
- M**a заставит ИИ работать дешевле —... (1)
- В следующем поколении настольных процессоров... (1)
- Сотни людей читают переписки пользователей с... (1)
- Китай догоняет гигантов памяти NAND и DRAM... (1)
- Новая реальность: GeForce RTX 5090 в США... (62)
- Главный сценарист The Witcher 3: Wild Hunt... (76)
- SpaceX готовится поймать Starship «руками»... (98)
- Мощный мотор 750 Вт, 117 км на одной... (118)
- Total War: Shogun 2 спустя 15 лет получит... (111)
- Зарядка за 25 минут и 1,5 миллиона... (123)
- Роботы строят роботов: UBTech запустила... (146)
- Поглощённый 11 лет назад Intel чипмейкер... (112)
- Samsung представила свой самый бюджетный... (133)
- Игры с ИИ в одной коробке: МТС обновляет... (133)
- В Америке прошло закрытое тестирование... (141)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...