- Chery довела мощность флагманского... (1775)
- В мае на бывшем российском заводе Mercedes... (2228)
- Будет ли это новая эпоха на рынке... (2687)
- АвтоВАЗ выпустит Lada Vesta для... (2594)
- Какой камерофон — лучший? Huawei Pura70... (3001)
- Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI nova... (2934)
- В Россию приедет новая партия кроссоверов... (3147)
- M**a бросила вызов ChatGPT — все сервисы... (3398)
- Li Auto L6 затмит в России Geely Monjaro?... (3523)
- M**a добавила ИИ-генерацию изображений в... (3367)
- Поисковик Brave научился отвечать на вопросы... (3892)
- 360 л.с. и возможностью проехать 1400 км на... (3740)
- Kingdom Come: Deliverance 2 официально... (4155)
- Поддать жару: в Джорджии для питания новых... (4558)
- TSMC оценила убытки от разрушительного... (6320)
- Не по средствам: большинство госкомпаний не... (4057)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...