- Новая статья: Обзор смартфона Google Pixel... (364)
- В популярнейшем архиваторе 7-Zip обнаружены... (278)
- Vivo представила смарт-часы Watch GT 2 с... (419)
- Microsoft затруднит доступ к режиму Internet... (609)
- Painkiller, «Герои Меча и Магии», новый... (699)
- Неубиваемый смартфон Honor X9d с батареей на... (527)
- В поиске Google теперь можно скрывать... (510)
- В поиске Google теперь можно скрывать... (550)
- «Убийца» Li Auto L9 от Chery. Флагманский... (397)
- Apple TV+ превратился в просто Apple TV —... (548)
- iPhone 17 Pro имеет лучшую фронтальную... (509)
- «Они абсолютно не понимают, за что полюбили... (637)
- Новый геймплейный трейлер раскрыл дату... (589)
- Intel представила чудовищный 288-ядерный... (636)
- Энтузиасты починили продырявленную GeForce... (839)
- Arm-процессоры AMD для потребительских... (616)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...