- Средняя емкость аккумулятора смартфона... (0)
- Эксперимент по поиску 119-го элемента... (0)
- Топовый Samsung Galaxy A57 стоит 770 евро.... (55)
- Samsung Galaxy A57 оценили в 530 евро, он... (108)
- 12-дюймовый экран вместо 10-дюймового,... (134)
- Список «умерших» устройств Xiaomi неожиданно... (121)
- Китайский зонд Chang"e-4 обнаружил область... (118)
- Новый монстр от HP получил 86-ядерный Xeon и... (202)
- Microsoft запустила ИИ-рестайлинг фотографий... (201)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS показала... (122)
- Эпоха MIUI завершилась: Xiaomi отключила... (130)
- Новая статья: Система жидкостного охлаждения... (147)
- YouTube завалил некоторых пользователей... (152)
- Q-Day ближе, чем все думали: Google резко... (234)
- В России арестовали администратора одной из... (133)
- Разработчик «Мира танков» решил проблему с... (156)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...