- Заднеприводная версия Tesla Cybertruck снята... (51)
- С начала года рынок гибридов и... (59)
- Corsair выплатит пользователям $5,5 млн за... (90)
- Microsoft сможет претендовать на меньшую... (145)
- Масштабный слив данных «Великого китайского... (132)
- Инвесторы вложили в OpenAI 50 млрд, но Сэм... (99)
- Китай начал расследование политики США в... (229)
- Новая статья: Cronos: The New Dawn — не... (226)
- Новая статья: Gamesblender № 743: анонс... (215)
- Mercedes-Benz показал первый тизер... (150)
- xAI сокращает штат на треть: 500 уволенных и... (150)
- Неожиданный провал BMW 1 серии: всего четыре... (161)
- NASA готовит к первому полёту тихий... (222)
- SpaceX успешно запустила очередной пакет из... (202)
- Испанский бренд Cupra представил концепт-кар... (184)
- Чеснок, скафандр и уникальная установка для... (238)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...