- Режиссёр Resident Evil 2 проклял авторов... (512)
- Intel может отказаться от E- и P-ядер в... (471)
- Более миллиона пользователей Steam добавили... (594)
- В Steam вышла демоверсия грандиозной... (581)
- «Я был плохим студентом»: автор покерного... (827)
- Европейцы начали ездить за HDD в США — так... (875)
- Nothing показала смартфон Phone (4a) в... (893)
- «Мы можем сделать сугубо станцию, сделанную... (885)
- Starlab завершила ключевую проверку с NASA и... (887)
- Когда ИИ становится филантропом: бот Lobstar... (475)
- Утечка объяснила, как работает защита от... (662)
- Для ChatGPT готовят новую подписку за 100... (482)
- «Даже местные разработчики ничего подобного... (555)
- Исследование показало: ИИ теряется в длинных... (514)
- Китайские бренды стремительно наступают.... (696)
- Папа Лев XIV призвал священников не... (688)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...