- Исследователи рассказали, как ИИ Mythos... (396)
- Из-за слухов о скором старте предзаказов GTA... (375)
- Китай создал фотонный квантовый компьютер,... (651)
- Microsoft готовит флагманский геймпад Xbox... (358)
- Продажи пиратского хита Windrose за месяц в... (421)
- Марсоход NASA Perseverance сделал бодрое... (516)
- В российской рознице появились белорусские... (477)
- Сетевой протокол Multipath Reliable... (786)
- Модель Claude Mythos от Anthropic помогла... (753)
- Anthropic Mythos нашёл новые дыры в... (826)
- OpenAI признала утечку данных после... (399)
- Хакеры похитили учётные данные у сотрудников... (829)
- Новая статья: Обзор ноутбука Acer Swift Go... (758)
- OpenAI может подать в суд на Apple из-за... (989)
- Фильм по The Legend of Zelda выйдет раньше... (642)
- Nvidia мчится к капитализации в $6 трлн — за... (658)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...