- Новая статья: Clive Barker’s Hellraiser:... (732)
- M**a тайно создала прототип... (596)
- Binance закрыла 90 % дыры после кражи $6,3... (715)
- GamesVoice озвучила последний трейлер GTA VI... (788)
- Рынок ПК уже не спасти: Intel перебрасывает... (667)
- ИИ-агент Anthropic Claude самостоятельно... (1100)
- Альтман приехал к Samsung выпрашивать память... (1037)
- Подорожают и камеры: Canon готовится... (1123)
- Инвесторы отрезали OpenAI от денег —... (1164)
- Apple Intelligence на следующей неделе... (1050)
- GeForce RTX 5080 исчезла из... (1639)
- Будущие обязательства пяти техногигантов... (1084)
- Поставки процессоров для смартфонов рухнули... (1145)
- Паника на ИИ-рынке не пощадила Nvidia —... (1619)
- Альтман: наличие оперативной памяти в ПК... (1655)
- Новая статья: Gears of War: E-Day — как... (1581)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...