- Nvidia мчится к капитализации в $6 трлн — за... (402)
- Крупнейший солнечный беспилотник... (661)
- Microsoft готовит компактный Xbox-контроллер... (425)
- Угроза забастовки на полупроводниковых... (669)
- Microsoft заподозрили в подавлении... (432)
- Razer представила игровой ноутбук Blade 18 с... (681)
- Яростный мультиплеерный шутер Hell Let... (759)
- AMD выпустила драйвер с поддержкой Forza... (478)
- Subnautica 2 вышла в раннем доступе —... (760)
- «Несчастны все, кроме руководства»: в M**a... (593)
- По проторенной дорожке: критики вынесли... (746)
- Видеокарты Radeon RX 6000 и RX 7000 получат... (552)
- Amazon отменила MMO по «Властелину колец»,... (1012)
- MSI выпустит очень лимитированную GeForce... (770)
- Google урезает лимиты: некоторым новым... (457)
- Anthropic заявила, что ИИ уже пишет более 90... (723)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...