- Пять нониллионов IPv6-адресов:... (1110)
- В Android появилась функция Call Reason —... (1032)
- Google внедрила маркировку очень важных... (1186)
- Россияне обожают Toyota: продажи выросли... (1022)
- Представлены 4K-проекторы BenQ TK705i и... (937)
- Аккумулятор 8300 мА·ч, 100 Вт, IP69K,... (1079)
- Samsung Galaxy S26 Ultra тоже будет... (1144)
- До 350 °C, до 5 млрд срабатываний и 12 лет... (1354)
- Сделки с OpenAI и Anthropic увеличат... (992)
- Взрываются не только Starship: ракета... (1090)
- Samsung Galaxy S25 Ultra, Galaxy A17 и... (1193)
- АвтоВАЗ планирует нарастить темпы продаж... (1284)
- Камеру глобального OnePlus 15... (969)
- Трамп на год отсрочил подорожание видеокарт... (880)
- Президент Трамп освободил видеокарты от... (1175)
- Илон Маск выдал базу для безопасного ИИ —... (952)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...