- MSI возвращает культовую линейку видеокарт... (2707)
- Нужно ещё больше памяти для новых... (2200)
- Началось: Asus поднимает цены на свои... (2163)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2898)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2067)
- С Новым, 2026 (2153)
- С Новым 2026 (2445)
- Израиль первым в мире принял на вооружение... (2104)
- Инсайдер раскрыл улучшения камеры Samsung... (1982)
- Ryzen 9800X3D умирают даже чаще, чем сгорают... (2596)
- Первый смартфон Трампа откладывается на 2026... (2158)
- Обнаружено редчайшее слияние сразу трёх... (2227)
- Спрос на H200 в Китае в три раза превысил... (2334)
- В Узбекистане представлены обновлённые... (1958)
- 73-й успешный старт ракет китайской... (2067)
- Британская Space Forge впервые получила... (1797)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...