- Взрыв New Glenn уничтожил стартовый комплекс... (3894)
- Dreame раскрыла цену робота-пылесоса Cyber... (3897)
- В «Google Фото» появятся новые средства... (3445)
- Видео: китайский 5-тонный eVTOL от... (3904)
- Dell представила 39-дюймовый монитор 5K OLED... (3814)
- Почти половина мобильных роутеров провалила... (3471)
- Утечка раскрыла первый ноутбук Dell XPS на... (3596)
- Cooler Master и G.Skill представили толстый... (3682)
- Свет уличили в движении с «отрицательным»... (5451)
- Ролевой экшен Grim Dawn спустя 10 лет после... (4009)
- Улучшение посадки семян, эксклюзивные... (3389)
- Новая статья: Обзор робота-уборщика Roborock... (3557)
- Экспансия ИИ-агентов разгонит рынок памяти... (3850)
- Группа инвесторов влезла в долги на $36... (3403)
- ReactOS, воссоздающая Windows NT, получила... (4190)
- Reactors, воссоздающая Windows NT, получила... (3961)
Компания Samsung представила 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит
Дата: 2021-03-12 14:01
На Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung рассказала о новом шаге в направлении уменьшения технологических норм. Она представила кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит, впервые изготовленный по нормам 3 нм.
В этой микросхеме нашла применение технология транзисторов Gate All Around (GAAFET), которая призвана сменить используемую сейчас технологию FinFET. Первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET южнокорейский производитель изготовил в январе прошлого года.
Источник напоминает, что существует два варианта технологии GAAFET. В одном каналы выполнены виде «проводков», а во втором, который получил собственное название MBCFET Multi-Bridge Channel FET), каналы имеют форму плоских «мостиков».
В описываемой микросхеме используется технология MBCFET. Площадь кристалла равна 56 мм². Применение MBCFET позволило значительно уменьшить энергопотребление по сравнению с подобной микросхемой на транзисторах FinFET.
Ожидается, что новый 3-нанометровый техпроцесс будет запущен в массовое производство в 2022 году.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Хитовые смартфоны Honor 9X не получат интерфейс Magic UI 4.0 — они сразу перейдут на HarmonyOS
Смартфоны линейки Honor 9X вышли в 2019 году и очень быстро завоевали любовь пользователей. При этом, несмотря на большую армию поклонников, Honor так пока и не выпустила интерфейс Magic UI 4.0 (по сути — EMUI 11) для этих устройств. И уже не выпустит. Как пишет источник, один из пользователей в Китае обратился в компанию напрямую с вопросом о дальнейшей программной поддержке...
Новый смартфон Redmi получит камеру-микроскоп, как у Oppo Find X3. Опубликован первый снимок с этой камеры
Вчера Oppo представила флагманский смартфон Find X3, особенностью которого является 3-мегапиксельная камера-микроскоп с 60-кратным увеличением. Сегодня на эту новость отреагировал директор по новым продуктам Xiaomi Ван Тенг Томас (Wang Teng Thomas). По его словам, модель с аналогичной камерой появится в ассортименте Redmi. Мононатриевая соль глутаминовой кислоты, заснятая...
Blizzard набирает сотрудников для работы над неанонсированной многопользовательской ААА-игрой
Blizzard Entertainment набирает сотрудников, которые займутся разработкой неанонсированной многопользовательской ААА-игры. Об этом свидетельствует список вакансий, опубликованный в Сети. О том, что Blizzard нужны дополнительные кадры, поведал старший художник в студии Дэн Джон Кокс (Dan John Cox). Недавно он написал в личном микроблоге: «Моя команда ищет много людей для...
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего