- Микрогравитация меняет форму мозга... (1615)
- Российский оператор Т2 внедрил бесплатную... (1582)
- Broadcom представила чипы для точек доступа... (1550)
- Экс-глава Google планирует запустить частный... (1371)
- Возрождённая ролевая песочница Hytale в духе... (1490)
- «Китайский Maybach» на шаг ближе к России:... (1308)
- Минивэны от АвтоВАЗа под брендом SKM... (1414)
- Китайский стартап Zhipu полностью обучил... (1521)
- Китай установил крупнейший в мире морской... (1589)
- Бизнес-класс для всех. Lada Aura внезапно... (1165)
- Для любителей более округлых форм. Unihertz... (1099)
- Китайская таможня не дала добро на ввоз... (1477)
- Обнаружен VoidLink — опасный модульный вирус... (1381)
- Почти половина российских телеком-компаний... (1471)
- Сначала мы увидим обзоры топового Core Ultra... (1535)
- Энергетики — новые айтишники: техногиганты... (1484)
Компания Samsung представила 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит
Дата: 2021-03-12 14:01
На Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung рассказала о новом шаге в направлении уменьшения технологических норм. Она представила кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит, впервые изготовленный по нормам 3 нм.
В этой микросхеме нашла применение технология транзисторов Gate All Around (GAAFET), которая призвана сменить используемую сейчас технологию FinFET. Первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET южнокорейский производитель изготовил в январе прошлого года.
Источник напоминает, что существует два варианта технологии GAAFET. В одном каналы выполнены виде «проводков», а во втором, который получил собственное название MBCFET Multi-Bridge Channel FET), каналы имеют форму плоских «мостиков».
В описываемой микросхеме используется технология MBCFET. Площадь кристалла равна 56 мм². Применение MBCFET позволило значительно уменьшить энергопотребление по сравнению с подобной микросхемой на транзисторах FinFET.
Ожидается, что новый 3-нанометровый техпроцесс будет запущен в массовое производство в 2022 году.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Хитовые смартфоны Honor 9X не получат интерфейс Magic UI 4.0 — они сразу перейдут на HarmonyOS
Смартфоны линейки Honor 9X вышли в 2019 году и очень быстро завоевали любовь пользователей. При этом, несмотря на большую армию поклонников, Honor так пока и не выпустила интерфейс Magic UI 4.0 (по сути — EMUI 11) для этих устройств. И уже не выпустит. Как пишет источник, один из пользователей в Китае обратился в компанию напрямую с вопросом о дальнейшей программной поддержке...
Новый смартфон Redmi получит камеру-микроскоп, как у Oppo Find X3. Опубликован первый снимок с этой камеры
Вчера Oppo представила флагманский смартфон Find X3, особенностью которого является 3-мегапиксельная камера-микроскоп с 60-кратным увеличением. Сегодня на эту новость отреагировал директор по новым продуктам Xiaomi Ван Тенг Томас (Wang Teng Thomas). По его словам, модель с аналогичной камерой появится в ассортименте Redmi. Мононатриевая соль глутаминовой кислоты, заснятая...
Blizzard набирает сотрудников для работы над неанонсированной многопользовательской ААА-игрой
Blizzard Entertainment набирает сотрудников, которые займутся разработкой неанонсированной многопользовательской ААА-игры. Об этом свидетельствует список вакансий, опубликованный в Сети. О том, что Blizzard нужны дополнительные кадры, поведал старший художник в студии Дэн Джон Кокс (Dan John Cox). Недавно он написал в личном микроблоге: «Моя команда ищет много людей для...
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего