- На российские аналоги Rolls-Royce и Bentley... (2620)
- M**a замахнулась на сотни гигаватт для ИИ:... (2334)
- Новая статья: Направляемая самосборка (DSA):... (2065)
- Windows 11 скрывает, какие драйверы... (1939)
- Битва премиума: BMW обошла в США Lexus по... (2693)
- 42 человека заказали на Amazon в США GeForce... (2051)
- Ирану удалось заглушить спутниковый интернет... (2676)
- Disco Elysium, Blue Prince, Return of the... (1993)
- Необычный тонкий мини-ПК Khadas Mind Pro... (2468)
- Этот трекбол удобно размещать прямо под... (4464)
- Апокалипсис на рынке оперативной памяти»:... (1991)
- Google и Apple подтверждают: новая Siri... (1817)
- NASA получила первый сигнал от спутника... (1959)
- GeForce RTX 5090 стремительно дорожает: цены... (2373)
- Apple выбрала Google Gemini для создания... (2359)
- SSD тоже подорожают в разы? Новая система... (2471)
Компания Samsung представила 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит
Дата: 2021-03-12 14:01
На Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung рассказала о новом шаге в направлении уменьшения технологических норм. Она представила кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит, впервые изготовленный по нормам 3 нм.
В этой микросхеме нашла применение технология транзисторов Gate All Around (GAAFET), которая призвана сменить используемую сейчас технологию FinFET. Первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET южнокорейский производитель изготовил в январе прошлого года.
Источник напоминает, что существует два варианта технологии GAAFET. В одном каналы выполнены виде «проводков», а во втором, который получил собственное название MBCFET Multi-Bridge Channel FET), каналы имеют форму плоских «мостиков».
В описываемой микросхеме используется технология MBCFET. Площадь кристалла равна 56 мм². Применение MBCFET позволило значительно уменьшить энергопотребление по сравнению с подобной микросхемой на транзисторах FinFET.
Ожидается, что новый 3-нанометровый техпроцесс будет запущен в массовое производство в 2022 году.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Хитовые смартфоны Honor 9X не получат интерфейс Magic UI 4.0 — они сразу перейдут на HarmonyOS
Смартфоны линейки Honor 9X вышли в 2019 году и очень быстро завоевали любовь пользователей. При этом, несмотря на большую армию поклонников, Honor так пока и не выпустила интерфейс Magic UI 4.0 (по сути — EMUI 11) для этих устройств. И уже не выпустит. Как пишет источник, один из пользователей в Китае обратился в компанию напрямую с вопросом о дальнейшей программной поддержке...
Новый смартфон Redmi получит камеру-микроскоп, как у Oppo Find X3. Опубликован первый снимок с этой камеры
Вчера Oppo представила флагманский смартфон Find X3, особенностью которого является 3-мегапиксельная камера-микроскоп с 60-кратным увеличением. Сегодня на эту новость отреагировал директор по новым продуктам Xiaomi Ван Тенг Томас (Wang Teng Thomas). По его словам, модель с аналогичной камерой появится в ассортименте Redmi. Мононатриевая соль глутаминовой кислоты, заснятая...
Blizzard набирает сотрудников для работы над неанонсированной многопользовательской ААА-игрой
Blizzard Entertainment набирает сотрудников, которые займутся разработкой неанонсированной многопользовательской ААА-игры. Об этом свидетельствует список вакансий, опубликованный в Сети. О том, что Blizzard нужны дополнительные кадры, поведал старший художник в студии Дэн Джон Кокс (Dan John Cox). Недавно он написал в личном микроблоге: «Моя команда ищет много людей для...
Samsung успешно создала 3-нм чип на совершенно новых транзисторах: быстрее, экономичнее, плотнее
Компания Samsung сообщила о создании опытного 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием 3-нм техпроцесса и совершенного новых транзисторов MBCFET. Образец позволил подтвердить характеристики будущего