- MSI представила мини-ПК Cubi Z AI 8M с... (755)
- Смарт-часы впервые обеспечили сантиметровую... (681)
- Samsung старается изо всех сил: финальная... (735)
- Плазма с Солнца достигла Земли — началась... (605)
- Цены на 8-Гбайт видеокарты Nvidia и AMD... (698)
- Первый в мире ИИ-спутник с ускорителем... (807)
- После визита Тима Кука iPhone Air в Китае... (589)
- Спасибо окрепшему рублю: «Китайский УАЗ» BAW... (705)
- Orion выходит за рамки SLS: NASA готовит... (710)
- Представлен Toyota Crown... (779)
- Представлен Toyota Crown Kluger Land Rover... (741)
- Адаптивная подвеска, до 1500 км с полным... (706)
- Кроссовер с адаптивной подвеской, который... (654)
- Samsung будет поставлять SoC как для новых... (606)
- Samsung Galaxy S26 Pro и Galaxy S26 Edge не... (704)
- Из-за проблем с базовым Galaxy S26... (607)
В твердотельных накопителях Transcend MTE720T, MTE710T и MTE670T используется 112-слойная флеш-память 3D NAND
Дата: 2022-01-29 14:12
Компания Transcend на этой неделе сообщила о выпуске твердотельных накопителей промышленного класса, в которых используется 112-слойная флеш-память 3D NAND. Это накопители типоразмера M.2 2280 с интерфейсом PCIe. Серия включает модели MTE720T, MTE710T и MTE670T. Основой первой служит восьмиканальный контроллер PCIe Gen4 x4, второй — четырехканальный контроллер PCIe Gen4 x4. В обоих случаях выполняется кэширование в DRAM. Эти модели поддерживают протокол NVMe 1.4. Модель MTE670T с интерфейсом PCIe Gen3 x4 не имеет DRAM и поддерживают протокол NVMe 1.3.

Использование 112-слойной памяти позволило получить вдвое большую плотность хранения по сравнению с накопителями на 96-слойной памяти. Кроме того, 112-слойная память 3D NAND обеспечивает более высокую скорость передачи данных, на 50% превосходя предшественника по этому показателю. Её ресурс составляет 3000 циклов перезаписи. Накопители гарантированно могут работать в расширенном диапазоне температур (от -20°С до 75°С).
Накопители MTE720T выпускаются объемом от 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 7400 МБ/с и максимальная скорость записи 6000 МБ/с. Накопители MTE710T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 3800 МБ/с и максимальная скорость записи 3200 МБ/с. Накопители MTE670T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. В их случае скорость чтения достигает 2100 МБ/с, скорость записи — 1600 МБ/с. Ресурс SSD и цены производитель не приводит.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Первый игровой смартфон с полноэкранным дизайном и без вырезов в экране. Такой якобы будет одна из версий Nubia Red Magic 7
На рынке вскоре должен появиться первый геймерский смартфон без толстых рамок и без каких-либо вырезов для камеры. Nubia Red Magic 6 Источник утверждает, что в линейке Nubia Red Magic 7 будет как минимум одна модель с полноэкранным дизайном, то есть без ощутимых рамок сверху и снизу. Также этот аппарат получит подэкранную камеру, так что никаких вырезов в дисплее у него тоже...
GPU Nvidia Hopper станет самым большим графическим процессором за всю историю
Специалисты авторитетного интернет-портала videocardz.com сообщают, что графический процессор Nvidia Hopper (GH100) будет монолитным чипом, причем рекордным по площади кристалла — около 1000
Intel планирует выпускать миллионы видеокарт Arc ежегодно
Авторов издания поспешил успокоить вице-президент Intel Раджа Кодури, который обратился к PC Gamer в твиттере и сообщил, что графическое подразделение компании в настоящий момент занимается решением проблемы, изыскивая возможности поставлять миллионы видеокарт Arc...
Слух: Хидео Кодзима и Селин Трикарт создают эксклюзив для PlayStation VR2
Небольшой проект с необычной концепцией, о котором Хидео Кодзима рассказал в конце прошлой недели, может быть VR-игрой для PlayStation