- SpaceX завершила миссию CRS-30 на МКС, а... (5068)
- Ubisoft подтвердила дату выхода Assassin's... (5306)
- Microsoft инвестирует $1,7 млрд в облака и... (6554)
- HarmonyOS Next, которая откажется от... (5185)
- Beats анонсировала доступные беспроводные... (5351)
- SpaceX и Blue Origin модифицируют свои... (5490)
- 165-сильный кроссовер Chevrolet Tracker... (5206)
- Китай наращивает амбициозные космические... (5346)
- Больше не Nokia: HMD выпустила в Европе свой... (5254)
- Восемь интернет-изданий подали иск к OpenAI... (5038)
- Ещё одно издательство подало иск к OpenAI за... (5221)
- В Китае взлетели продажи автомобилей... (5060)
- Представлен новый полноприводный Nissan... (5029)
- Google встроит в Android «фекальную... (5318)
- Полноприводный премиум-кроссовер Hongqi HS5... (5032)
- Это не просто «звонилки»: кнопочные Nokia... (5154)
В твердотельных накопителях Transcend MTE720T, MTE710T и MTE670T используется 112-слойная флеш-память 3D NAND
Дата: 2022-01-29 14:12
Компания Transcend на этой неделе сообщила о выпуске твердотельных накопителей промышленного класса, в которых используется 112-слойная флеш-память 3D NAND. Это накопители типоразмера M.2 2280 с интерфейсом PCIe. Серия включает модели MTE720T, MTE710T и MTE670T. Основой первой служит восьмиканальный контроллер PCIe Gen4 x4, второй — четырехканальный контроллер PCIe Gen4 x4. В обоих случаях выполняется кэширование в DRAM. Эти модели поддерживают протокол NVMe 1.4. Модель MTE670T с интерфейсом PCIe Gen3 x4 не имеет DRAM и поддерживают протокол NVMe 1.3.
Использование 112-слойной памяти позволило получить вдвое большую плотность хранения по сравнению с накопителями на 96-слойной памяти. Кроме того, 112-слойная память 3D NAND обеспечивает более высокую скорость передачи данных, на 50% превосходя предшественника по этому показателю. Её ресурс составляет 3000 циклов перезаписи. Накопители гарантированно могут работать в расширенном диапазоне температур (от -20°С до 75°С).
Накопители MTE720T выпускаются объемом от 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 7400 МБ/с и максимальная скорость записи 6000 МБ/с. Накопители MTE710T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 3800 МБ/с и максимальная скорость записи 3200 МБ/с. Накопители MTE670T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. В их случае скорость чтения достигает 2100 МБ/с, скорость записи — 1600 МБ/с. Ресурс SSD и цены производитель не приводит.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Первый игровой смартфон с полноэкранным дизайном и без вырезов в экране. Такой якобы будет одна из версий Nubia Red Magic 7
На рынке вскоре должен появиться первый геймерский смартфон без толстых рамок и без каких-либо вырезов для камеры. Nubia Red Magic 6 Источник утверждает, что в линейке Nubia Red Magic 7 будет как минимум одна модель с полноэкранным дизайном, то есть без ощутимых рамок сверху и снизу. Также этот аппарат получит подэкранную камеру, так что никаких вырезов в дисплее у него тоже...
GPU Nvidia Hopper станет самым большим графическим процессором за всю историю
Специалисты авторитетного интернет-портала videocardz.com сообщают, что графический процессор Nvidia Hopper (GH100) будет монолитным чипом, причем рекордным по площади кристалла — около 1000
Intel планирует выпускать миллионы видеокарт Arc ежегодно
Авторов издания поспешил успокоить вице-президент Intel Раджа Кодури, который обратился к PC Gamer в твиттере и сообщил, что графическое подразделение компании в настоящий момент занимается решением проблемы, изыскивая возможности поставлять миллионы видеокарт Arc...
Слух: Хидео Кодзима и Селин Трикарт создают эксклюзив для PlayStation VR2
Небольшой проект с необычной концепцией, о котором Хидео Кодзима рассказал в конце прошлой недели, может быть VR-игрой для PlayStation