Компания Intel в лице своего подразделения Intel Foundry похвасталась тем, что создала самый тонкий в мире чиплет из нитрида галлия (GaN), полученный из 300-миллиметровой пластины. Кремниевый слой у этого чиплета имеет толщину всего 19 мкм. 

Основное достижение тут в том, что инженерам Intel удалось успешно объединить транзисторы на основе нитрида галлия с традиционными цифровыми схемами на кремниевой основе на одном чипе, что позволило встраивать сложные вычислительные функции непосредственно в энергосберегающие микросхемы без необходимости использования отдельных сопутствующих микросхем. 

Такое решение жизнеспособно и технически позволяет создавать более компактные и эффективные электронные устройства для разных задач, начиная от центров обработки данных и заканчивая сетями связи 5G и 6G. 

Как говорит Intel, эта технология будет полезной в разных отраслях. В ЦОД чиплеты на основе GaN могут переключаться быстрее, теряя меньше энергии, чем кремниевые аналоги. Но это не для вычислительных чипов. Технология позволит создавать стабилизаторы напряжения меньшего размера, более эффективные и расположенные ближе к процессору, что снизит потери энергии, возникающие на длинных путях передачи питания.  

В беспроводной инфраструктуре высокочастотные характеристики транзисторов GaN делают их отличным вариантом для базовых станций, а способность эффективно работать на частотах свыше 200 ГГц делает подходящими для сантиметровых и миллиметровых диапазонов.