- NASA пересмотрит архитектуру «Артемиды»... (1108)
- Первый запуск южнокорейской ракеты... (1478)
- Blue Origin выполнила пилотируемый... (1387)
- NASA передумало экономить и объявило дату... (1088)
- Приложение Be My Eyes для помощи незрячим... (1362)
- Google подала в суд на SerpApi, обвинив в... (1293)
- Google пустила в Android альтернативные... (1415)
- Gemini не заменит Google Assistant на... (1320)
- Некоторые автомобили Ford могут внезапно... (1601)
- Google «убила» браузер консоли Sega... (1406)
- Архитектура AMD Zen 6 ориентирована на... (1358)
- Китайская Moore Threads представила... (1532)
- «Сотрудники-бумеранги»: Google стала массово... (1425)
- GeForce RTX 5060 Ti 16GB может временно... (1260)
- Северный магнитный полюс Земли переместился... (1196)
- Китайский ответ Nvidia: Moore Threads... (1424)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...