- Российская версия кроссовера Jaecoo J6... (1713)
- Большой багажник, панорама, внешняя лампа,... (1864)
- На Amazon всплыли поддельные DDR5 — это DDR2... (1630)
- Дефицит памяти вдохнул в Socket AM4 новую... (2345)
- Таких «Москвичей» ещё не было. «Москвич М70»... (1599)
- Китайские дорожные полицейские начали... (1589)
- В 2026 году в Россию приедет... (1608)
- Он превзойдет Tank 500 и Tank 700. В 2026... (1572)
- Научно-фантастический шутер Supreme... (2530)
- Intel успешно испытала передовой сканер... (1555)
- Не только 2ГИС и «Яндекс Карты»: российский... (2454)
- Открыта экзопланета с двумя газовыми... (1708)
- Rocket Lab идёт на рекорд: 3 запуска за... (2442)
- Intel уже установила у себя первую самую... (1471)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS теперь движется... (1629)
- В первом сравнении новый Core Ultra 7 365... (1726)
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Дата: 2012-05-17 23:45
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...