- Робот Boston Dynamics Atlas исполнил... (5342)
- Nvidia, Microsoft и Arm раскрыли координаты... (4879)
- Выпущена первая в мире игра для квантового... (6023)
- YouTube представил три новые функции для... (5794)
- Microsoft тоже намекает на скорый анонс... (4886)
- Чтобы построить к 2029 году работоспособный... (4988)
- Тайваньские власти подозревают, что ИИ-чипы... (4905)
- MediaTek утверждает, что чипы для её... (4431)
- Камеры для iPhone 18 Pro получат переменную... (5578)
- ASRock анонсировала игровые мониторы Taichi... (5532)
- Анонсирован 120-мм корпусный вентилятор... (6396)
- Новая статья: Forza Horizon 6 — в Японию с... (6036)
- Microsoft проигнорировала баги Windows, а... (7989)
- Открытое тестирование мрачного экшена... (5777)
- OpenAI отправит на пенсию ИИ-модели GPT-4.5... (5477)
- Acer представила пятёрку игровых мониторов... (7411)
SK Hynix выпускает память DDR3L-Reduced Standby для мобильных устройств
Дата: 2012-09-15 10:11
Критически важным показателем электронных компонентов для мобильных устройств является энергопотребление, поскольку от него зависит время автономной работы. Увеличить автономность ультрабуков и планшетов призвана новая память, представленная компанией SK Hynix под обозначением DDR3L-RS (Reduced Standby). По словам производителя, эта память, выпускаемая по технологии 20-нанометрового класса, существенно снижает энергопотребление в режиме ожидания.

По оценке компании, DDR3L-RS в режиме ожидания потребляет на 70% меньше энергии, чем DDR3L, не уступая последней по производительности.
Производитель предлагает отдельные микросхемы, предназначенные для монтажа на плату электронного устройства, и готовые модули памяти. Доступны микросхемы плотностью 2 Гбит, 4 Гбит и 8 Гбит, и модули SO-DIMM объемом 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ.
Как утверждается, новая память по цене привлекательнее памяти с пониженным энергопотреблением LPDDR3, а по энергопотреблению - привлекательнее памяти DDR3L.
Напомним, в активе компании Micron тоже есть подобная разработка - память DDR3Lm , которая отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации.
Источник: SK Hynix
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Появились первые изображения камеры Panasonic GH3 и объектива LumixG X 35-100mm f/2.8
Приближение выставки Photokina ощущается по нарастающему потоку сообщений о новинках в категории фототехники. Источник опубликовал первые изображения камеры Panasonic GH3 и объектива LumixG X 35-100mm f/2.8 - ожидается, что эти изделия японский производитель представит на следующей неделе в Кельне. Основой Panasonic GH3 станет датчик изображения типа CMOS разрешением 16 Мп....
PowerSkin предлагает чехол-батарею для Samsung Galaxy S III с поддержкой NFC
На сайте PowerSkin появился новый продукт - дополнительная батарея для смартфона Samsung Galaxy S III, интегрированная в защитный чехол. По словам производителя, новинка является первым чехлом-батареей с поддержкой NFC. Емкость аккумуляторной батареи составляет 1500 мА∙ч. По оценке компании, ее заряда достаточно для работы смартфона в течение почти трех часов (до 97 часов в...
Твердотельные накопители Silicon Power серии Slim толщиной 7 мм предназначены для ультрабуков
Компания SP/Silicon Power представила твердотельные накопители серии Slim. Устройства типоразмера 2,5 дюйма имею толщину всего 7 мм, что, по мнению производителя, делает их особенно подходящими для использования в ультрабуках. Накопители построены на контроллерах SandForce оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Серию Slim открыли модели Slim S60 и Slim S70. Скорость чтения в случае...
В накопителях Mach Xtreme Technology MX-ES флэш-память типа SLC NAND объединена с интерфейсом USB 3.0
Ассортимент компании Mach Xtreme Technology пополнился флэш-накопителями серии MX-ES, в которых используется флэш-память типа SLC (Single Level Cell) NAND и интерфейс USB 3.0. Использование памяти SLC NAND позволило повысить производительность и увеличить срок службы по сравнению с накопителями, в которых используется память типа MLC (Multi-Level Cell) NAND. Раскрыть потенциал...