- Невиновен: глава Samsung вышел победителем в... (12)
- iPhone 15 стал самым популярным смартфоном в... (12)
- OpenAI: ИИ-мегапроект Stargate создаст... (12)
- В России начинают продажи конкурентов Ford... (27)
- Большой рамный внедорожник, который... (28)
- Запустить — запустили, а на целевую орбиту... (28)
- «Второй такой машины в России нет». За 3,5... (28)
- Солнце одну за другой выстреливает мощные... (12)
- Солнце извергает мощные вспышки. Ученые... (67)
- Оплатить Steam, Genshin Impact, Roblox и... (62)
- Бюджетный Samsung, который будет заряжаться... (61)
- Россияне полюбили новую Lada Vesta: продажи... (53)
- Россияне распробовали Tank 300. Продажи... (54)
- Самый дешёвый смартфон на платформе... (104)
- Власти Тайваня помогут Foxconn и другим... (94)
- Трещины на дорогах будут затягиваться сами... (99)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...