- G.Skill представила самую быструю память... (515)
- Atari показала портативную игровую консоль... (521)
- Haval Jolion вновь подорожал в России.... (398)
- В Россию привезли новый Nissan Navara... (364)
- Mozilla запустила расширение Orbit для... (397)
- В 2025 году Microsoft инвестирует огромную... (474)
- Министерство юстиции США не считает нужным... (373)
- Starship доставит на орбиту симуляторы... (301)
- Спутники нового поколения Starlink V3 с... (369)
- Власти США запретили продавать личные данные... (288)
- Власти США ограничили доступ к персональным... (345)
- Новая статья: Лучшие игры 2024 года: выбор... (431)
- «Новогоднее световое шоу»: астронавт NASA... (629)
- Anthropic частично урегулировала спор с... (590)
- Китайские электромобили завоёвывают... (598)
- Apple согласилась выплатить 95 миллионов... (590)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...