- Астрономы могли наблюдать рождение... (608)
- Starlink Илона Маска уже доступен в 155... (755)
- 450 000 GPU, 392 000 км оптоволокна и 1,3... (720)
- Neuralink запустит массовое чипирование... (653)
- Li Auto продала уже 1,5 млн... (642)
- Лучший Android-смартфон в мире для съемки... (656)
- Новый Tesla Semi заряжается при мощности 1,2... (663)
- На пороге миллиона: поставки автомобилей... (715)
- 102 инфракрасных оттенка космоса: телескоп... (694)
- Samsung делает кухонную технику ещё умнее:... (769)
- Новейший Honor Win с огромным аккумулятором,... (696)
- Super Mini LED, от 75 до 98 дюймов, 6/128... (671)
- Acemagic показала ламповый мини-ПК Retro X5... (711)
- LG создала монстра для геймеров: первый... (858)
- Dreame хочет стать второй Xiaomi: компания... (539)
- Гигантский аккумулятор 10080 мАч в тонком... (656)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...