- Солнечный максимум положил конец миссии... (551)
- Американский космический самолёт Boeing... (551)
- Новые транзитные события и гамма-всплески:... (565)
- В ранней Вселенной обнаружена чёрная дыра,... (559)
- 6600 мА·ч, немерцающий экран и защита от... (480)
- Индия переносит запуск первой пилотируемой... (532)
- Vivo анонсировала выпуск в России смартфона... (525)
- AstroForge получила первую коммерческую... (478)
- Rocket Lab запустила секретную миссию:... (500)
- Спутники SpaceX Starlink обеспечили сотовой... (467)
- Honor представила X9c — свой самый прочный... (519)
- Metal Slug Tactics наконец вышла —... (482)
- Пластиковый мусор на пляжах теперь можно... (500)
- AMD хочет добавить 3D V-Cache во все свои... (550)
- Министр промышленности ОАЭ фиксирует... (446)
- Министр промышленности ОАЭ фиксируют... (529)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...