Компания Spin Transfer Technologies (STT), занятая разработкой магниторезистивной памяти с произвольным доступом на эффекте переноса спина (Orthogonal Spin Transfer Magneto-Resistive Random Access Memory, OST-MRAM), сообщила о начале поставок ознакомительных образцов.

По словам производителя, полнофункциональные образцы поставляются многочисленным заказчикам в Северной Америке и в Азии. В этих образцах ширина магнитного тоннельного перехода составляет 80 нм, что является наилучшим показателем для ST-MRAM. Микросхемы памяти поставляются на платах для разработчиков, так что заказчики могут сразу приступить к ознакомлению с их работой, оценивая пригодность для своих проектов.

На следующем этапе STT рассчитывает совместно с партнерами разработать встраиваемую память, параллельно работая над микросхемами памяти в виде самостоятельных изделий, в частности, повышая их плотность и быстродействие.

По словам STT, память OST-MRAM может во многих случаях заменить одновременно флэш-память, память типа SRAM и DRAM. К числу областей ее применения отнесены мобильные устройства, автомобильная электроника, интернет вещей и хранилища данных.

Источник: Spin Transfer Technologies