- Обновление Samsung привело к поломке... (273)
- Redmi Note 14 Pro+ обошел всех — ни один... (261)
- Представлен обновленный кроссовер Nissan... (315)
- «Мы приносим искренние извинения за... (368)
- Гиперреализм графики в игровых ноутбуках... (294)
- Жёсткие диски объёмом 60 Тбайт появятся уже... (2752)
- Elecom анонсировала кабели USB4 2.0 —... (409)
- Минцифры опубликовало правила регистрации... (602)
- Смарт-часы Huawei Watch D2 с функцией... (3526)
- Arctic подтвердила совместимость своих... (554)
- Одни из самых лучших процессоров Intel за... (515)
- Telegram объяснил недавние сбои событиями на... (680)
- Rivian катится к закату: в 2024 году... (624)
- Надёжный инсайдер: ремейк Assassin’s Creed... (647)
- Новая статья: Selfloss — отпусти, но не... (591)
- Более 40 % игроков Baldur’s Gate 3... (617)
В Стэндфордском университете нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего
Дата: 2017-08-14 10:49
Уменьшение технологических норм при производстве кремниевых полупроводниковых изделий подводит отрасль к порогу, за которым придется перейти на новые материалы и технологии. Специалисты Стэндфордского университета нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего: два полупроводниковых материала, способных формировать тонкие пленки и окисляться. Это диселениды гафния и циркония.
По словам ученых, из этих материалов можно изготавливать работоспособные электронные схемы толщиной всего три атома, что невозможно в случае кремния. Толщина таких схем — примерно 0,6-0,7 нм, тогда как кремниевые транзисторы толщиной менее 5 нм не удается сделать работоспособными, поскольку при уменьшении размеров элементов свойства материала меняются нежелательным образом.
Важным достоинством диселенидов гафния и циркония, роднящим их с кремнием, является способность окисляться, формируя пленку изолятора. Причем, по диэлектрической проницаемости эта пленка превосходит диоксид кремния. Другие полупроводники приходится покрывать слоем диэлектрика, что сопряжено с дополнительными техническими сложностями.
Для работы электронным приборам из новых материалам будет нужно даже меньше энергии, чем схемам из кремния. Говоря точнее, по ширине запрещенной зоны диселениды гафния и циркония, как и кремний, находятся в оптимальном диапазоне: если бы она была уже, высокие токи утечки препятствовали бы надежной работе, а если бы она была шире, возросло бы энергопотребление.
Исследователи признают, что пока еще есть проблемы, которые необходимо решить, чтобы использование новых материалов стало возможно. Одна из них — электрические соединения между транзисторами толщиной всего три атома.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Исследователи из России создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами
Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида...
Космический корабль Dragon доставит на МКС три тонны грузов
В понедельник 14 августа, в 19.31 по мск, с мыса Канаверал (Флорида) к МКС стартует космический корабль Dragon 14, созданный американской компанией Илона Маска Space X. Он доставит на станцию три тонны полезных
Астрономы назвали точный возраст системы TRAPPIST-1
Ранее специалисты предполагали, что возраст TRAPPIST-1 не превышает полумиллиарда лет. Теперь же ученые пришли к выводу, что возраст системы составляет от 5,4 до 9,8 миллиардов лет. На данный момент астрономы устанавливают, как этот длительный путь развития отразился на состоянии...
В России резко упала цена на iPhone 7 Plus
Модель iPhone 7 Plus с 128 Гб памяти подешевел на российском рынке примерно на треть по сравнению с ценой, которая была установлена на старте продаж. Об этом сообщает Hi-Tech Mail.ru со ссылкой на свои