- Linux-вирус Perfctl заразил с 2021 года... (307)
- Второй полёт ракеты ULA Vulcan сопровождался... (263)
- Через несколько лет на рынке появятся HDD... (274)
- Samsung Galaxy S24 FE получил первое... (288)
- Вот бы RTX 5090 такую память. Micron... (327)
- Кабина от Mercedes Axor, мотор Mercedes,... (292)
- Snapdragon 8 Gen 4 придётся тяжело.... (290)
- Apple не меняет, Samsung не меняет, вот и... (336)
- Видео Shorts в YouTube станут втрое длиннее.... (335)
- Модем 5G, над которым так долго работает... (327)
- Придётся поверить Intel на слово. Компания... (310)
- Blue Origin собрала вторую суборбитальную... (304)
- Началось открытое бета-тестирование браузера... (266)
- Китайские астрономы помогли совершить прорыв... (319)
- Новая ракета Vulcan Centaur компании ULA... (306)
- Концепция изменилась: пароли из наборов... (312)
В Стэндфордском университете нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего
Дата: 2017-08-14 10:49
Уменьшение технологических норм при производстве кремниевых полупроводниковых изделий подводит отрасль к порогу, за которым придется перейти на новые материалы и технологии. Специалисты Стэндфордского университета нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего: два полупроводниковых материала, способных формировать тонкие пленки и окисляться. Это диселениды гафния и циркония.
По словам ученых, из этих материалов можно изготавливать работоспособные электронные схемы толщиной всего три атома, что невозможно в случае кремния. Толщина таких схем — примерно 0,6-0,7 нм, тогда как кремниевые транзисторы толщиной менее 5 нм не удается сделать работоспособными, поскольку при уменьшении размеров элементов свойства материала меняются нежелательным образом.
Важным достоинством диселенидов гафния и циркония, роднящим их с кремнием, является способность окисляться, формируя пленку изолятора. Причем, по диэлектрической проницаемости эта пленка превосходит диоксид кремния. Другие полупроводники приходится покрывать слоем диэлектрика, что сопряжено с дополнительными техническими сложностями.
Для работы электронным приборам из новых материалам будет нужно даже меньше энергии, чем схемам из кремния. Говоря точнее, по ширине запрещенной зоны диселениды гафния и циркония, как и кремний, находятся в оптимальном диапазоне: если бы она была уже, высокие токи утечки препятствовали бы надежной работе, а если бы она была шире, возросло бы энергопотребление.
Исследователи признают, что пока еще есть проблемы, которые необходимо решить, чтобы использование новых материалов стало возможно. Одна из них — электрические соединения между транзисторами толщиной всего три атома.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Исследователи из России создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами
Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида...
Космический корабль Dragon доставит на МКС три тонны грузов
В понедельник 14 августа, в 19.31 по мск, с мыса Канаверал (Флорида) к МКС стартует космический корабль Dragon 14, созданный американской компанией Илона Маска Space X. Он доставит на станцию три тонны полезных
Астрономы назвали точный возраст системы TRAPPIST-1
Ранее специалисты предполагали, что возраст TRAPPIST-1 не превышает полумиллиарда лет. Теперь же ученые пришли к выводу, что возраст системы составляет от 5,4 до 9,8 миллиардов лет. На данный момент астрономы устанавливают, как этот длительный путь развития отразился на состоянии...
В России резко упала цена на iPhone 7 Plus
Модель iPhone 7 Plus с 128 Гб памяти подешевел на российском рынке примерно на треть по сравнению с ценой, которая была установлена на старте продаж. Об этом сообщает Hi-Tech Mail.ru со ссылкой на свои