- Вышел «голографический» 120-мм вентилятор... (715)
- Когда-то Стив Джобс приказал уничтожить все... (665)
- Новые процессоры Intel Core Ultra 200 в ряде... (593)
- Этот процессор для ИИ потребляет менее 1... (659)
- Через пять лет на рынке появятся... (624)
- Intel объявила проблему нестабильности... (665)
- iPhone 16 Pro Max и Galaxy S24 Ultra... (591)
- Эксперты предупредили о необходимости... (593)
- Флагманские смартфоны в будущем опять... (578)
- Китайская космическая станция «Тяньгун»... (594)
- 7 октября Blue Origin представит второй... (532)
- УАЗ идет по пути Volkswagen, Jeep и Mini:... (477)
- Чёрных дыр в ранней Вселенной оказалось... (336)
- В России появился новый кроссовер Hyundai.... (316)
- Как устроен один из самых удачных... (423)
- Россияне меняют свои Toyota на внедорожники... (304)
В Стэндфордском университете нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего
Дата: 2017-08-14 10:49
Уменьшение технологических норм при производстве кремниевых полупроводниковых изделий подводит отрасль к порогу, за которым придется перейти на новые материалы и технологии. Специалисты Стэндфордского университета нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего: два полупроводниковых материала, способных формировать тонкие пленки и окисляться. Это диселениды гафния и циркония.
По словам ученых, из этих материалов можно изготавливать работоспособные электронные схемы толщиной всего три атома, что невозможно в случае кремния. Толщина таких схем — примерно 0,6-0,7 нм, тогда как кремниевые транзисторы толщиной менее 5 нм не удается сделать работоспособными, поскольку при уменьшении размеров элементов свойства материала меняются нежелательным образом.
Важным достоинством диселенидов гафния и циркония, роднящим их с кремнием, является способность окисляться, формируя пленку изолятора. Причем, по диэлектрической проницаемости эта пленка превосходит диоксид кремния. Другие полупроводники приходится покрывать слоем диэлектрика, что сопряжено с дополнительными техническими сложностями.
Для работы электронным приборам из новых материалам будет нужно даже меньше энергии, чем схемам из кремния. Говоря точнее, по ширине запрещенной зоны диселениды гафния и циркония, как и кремний, находятся в оптимальном диапазоне: если бы она была уже, высокие токи утечки препятствовали бы надежной работе, а если бы она была шире, возросло бы энергопотребление.
Исследователи признают, что пока еще есть проблемы, которые необходимо решить, чтобы использование новых материалов стало возможно. Одна из них — электрические соединения между транзисторами толщиной всего три атома.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Исследователи из России создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами
Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида...
Космический корабль Dragon доставит на МКС три тонны грузов
В понедельник 14 августа, в 19.31 по мск, с мыса Канаверал (Флорида) к МКС стартует космический корабль Dragon 14, созданный американской компанией Илона Маска Space X. Он доставит на станцию три тонны полезных
Астрономы назвали точный возраст системы TRAPPIST-1
Ранее специалисты предполагали, что возраст TRAPPIST-1 не превышает полумиллиарда лет. Теперь же ученые пришли к выводу, что возраст системы составляет от 5,4 до 9,8 миллиардов лет. На данный момент астрономы устанавливают, как этот длительный путь развития отразился на состоянии...
В России резко упала цена на iPhone 7 Plus
Модель iPhone 7 Plus с 128 Гб памяти подешевел на российском рынке примерно на треть по сравнению с ценой, которая была установлена на старте продаж. Об этом сообщает Hi-Tech Mail.ru со ссылкой на свои