- Пользователи iPhone 16 получат доступ к... (609)
- «Это инвестиционная покупка». В Тольятти... (624)
- Время покупать Geely Monjaro и Atlas? До... (628)
- Время покупать Geely Monjaro и Atlas? До... (10626)
- Продажи Lada Iskra начнутся в марте 2025... (557)
- Японский токамак JT-60SA установил рекорд по... (615)
- Японский токамак JT-60SA установил рекорд по... (603)
- В России появился новый премиум-броневик:... (633)
- Новую Lada Niva Sport показали... (4326)
- Евросоюз запретил M**a бесконечно... (573)
- Авторы посвящённой видеоиграм антологии... (282)
- Lada Vesta Sportline получила ESP, но не... (323)
- Плохая новость для многих владельцев... (276)
- Tank 300 стоит 4,2 млн рублей, а его... (334)
- Vivo создаст идеальный компактный флагман?... (347)
- Telegram объявил конкурс на создание аналога... (345)
В Стэндфордском университете нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего
Дата: 2017-08-14 10:49
Уменьшение технологических норм при производстве кремниевых полупроводниковых изделий подводит отрасль к порогу, за которым придется перейти на новые материалы и технологии. Специалисты Стэндфордского университета нашли потенциальную замену кремнию в микросхемах будущего: два полупроводниковых материала, способных формировать тонкие пленки и окисляться. Это диселениды гафния и циркония.
По словам ученых, из этих материалов можно изготавливать работоспособные электронные схемы толщиной всего три атома, что невозможно в случае кремния. Толщина таких схем — примерно 0,6-0,7 нм, тогда как кремниевые транзисторы толщиной менее 5 нм не удается сделать работоспособными, поскольку при уменьшении размеров элементов свойства материала меняются нежелательным образом.
Важным достоинством диселенидов гафния и циркония, роднящим их с кремнием, является способность окисляться, формируя пленку изолятора. Причем, по диэлектрической проницаемости эта пленка превосходит диоксид кремния. Другие полупроводники приходится покрывать слоем диэлектрика, что сопряжено с дополнительными техническими сложностями.
Для работы электронным приборам из новых материалам будет нужно даже меньше энергии, чем схемам из кремния. Говоря точнее, по ширине запрещенной зоны диселениды гафния и циркония, как и кремний, находятся в оптимальном диапазоне: если бы она была уже, высокие токи утечки препятствовали бы надежной работе, а если бы она была шире, возросло бы энергопотребление.
Исследователи признают, что пока еще есть проблемы, которые необходимо решить, чтобы использование новых материалов стало возможно. Одна из них — электрические соединения между транзисторами толщиной всего три атома.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Исследователи из России создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами
Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида...
Космический корабль Dragon доставит на МКС три тонны грузов
В понедельник 14 августа, в 19.31 по мск, с мыса Канаверал (Флорида) к МКС стартует космический корабль Dragon 14, созданный американской компанией Илона Маска Space X. Он доставит на станцию три тонны полезных
Астрономы назвали точный возраст системы TRAPPIST-1
Ранее специалисты предполагали, что возраст TRAPPIST-1 не превышает полумиллиарда лет. Теперь же ученые пришли к выводу, что возраст системы составляет от 5,4 до 9,8 миллиардов лет. На данный момент астрономы устанавливают, как этот длительный путь развития отразился на состоянии...
В России резко упала цена на iPhone 7 Plus
Модель iPhone 7 Plus с 128 Гб памяти подешевел на российском рынке примерно на треть по сравнению с ценой, которая была установлена на старте продаж. Об этом сообщает Hi-Tech Mail.ru со ссылкой на свои