- Чипсет AMD B650 превратили в плату... (10362)
- Анонсирована Guild Wars 3 — масштабная... (6909)
- Сравнение смартфонных чипов показало... (9780)
- ChatGPT получит крупнейшее обновление и... (6078)
- ChatGPT получил крупнейшее обновление и... (6373)
- OpenAI добавила ChatGPT режим блокировки для... (8835)
- У Rutube появится первый собственный ЦОД... (7776)
- «Новая брутальная глава»:... (9450)
- 15 тыс. ампер на стойку: Molex представила... (10652)
- Molex представила многоканальную шину с... (8853)
- MediaTek продемонстрировала оптический... (7401)
- Первые флоппи-диски были запатентованы 54... (9292)
- Intel и Hitachi договорились о... (7431)
- Tesla не теряет надежды наделить Roadster... (9268)
- Илон Маск обсудит с ASML планы по... (8500)
- Трамп захотел наградить всех американцев... (11252)
Google купил стартап, превращающий экраны смартфона в динамики
Дата: 2018-01-12 16:27
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Яндекс внедряет новые функции для Турбо-страниц
Яндекс начал внедрять обещанные функции для
Silverstone SPD11 позволяет установить в отсеке типоразмера 3,5 дюйма четыре накопителя
Показанное на иллюстрациях изделие включила в свою экспозицию на CES 2018 компания Silverstone. Это шасси, рассчитанное на установку в отсек типоразмера 3,5 дюйма. С его помощью в этом отсеке можно разместить до четырех накопителей. Шасси совместимо с твердотельными накопителями типоразмера M.2, оснащенными интерфейсом SATA. Как видно на фото, новинка носит индекс SDP11 и...
ASUS и MSI заняли 50 % рынка игровых ноутбуков
Сильная ценовая конкуренция со стороны HP Inc. и Dell не помешала ASUS и MSI остаться лидерами рынка игровых ноутбуков, пишет издание DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники. По их данным, в 2017 году ASUS и MSI выпустили в общей сложности 2,4–2,5 млн игровых портативных компьютеров, что позволило компаниям занять около 50 % глобального...
GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics
Франко-итальянская компания STMicroelectronics одной из первых приступила к производству полупроводников с технологическими нормами 28 нм на пластинах из полностью обеднённого кремния на изолирующем слое (FD-SOI, fully depleted silicon-on-insulator). Пластины FD-SOI позволяют создавать транзисторы со значительно меньшими токами утечек, что даёт возможность поднять рабочие...