- Разработана технология передачи данных через... (152)
- Tecno представила концепт смартфона с... (141)
- Nothing может отойти от смартфонов к... (127)
- Разработан бесплатный шрифт ShieldFont,... (171)
- Google готовит прямого конкурента AirTag —... (686)
- $2,4 трлн на ИИ потратит четвёрка крупнейших... (952)
- Предложен новый способ разведки залежей... (735)
- Утверждён список приложений для... (1152)
- Россияне переключились на доступные... (727)
- Apple потеряла почти $400 млрд капитализации... (820)
- Google сделает исключение для стран под... (1253)
- Робопсам придумали «лапки» для пружинящей... (1252)
- Ещё несколько ИИ-агентов OpenAI вышли из-под... (1305)
- Физики нашли способ резко снизить... (1552)
- OpenAI сообщила, что её сервисами теперь... (995)
- Катастрофического роста цен на видеокарты... (2172)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...