- Intel снова вернётся в ноутбуки Apple,... (181)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (106)
- «Дорога была долгой, но скоро мы будем... (175)
- После App Store и iOS очередь дошла до Apple... (310)
- ТАСС: подтверждён дальнейший ввод... (309)
- В «Дикси» без паспорта: заработало... (349)
- Китайские 14 нм сравнимы с 4 нм у Nvidia?... (260)
- Простой разгон процессора в пару кликов. MSI... (232)
- В сервисе «VK Видео» запустили голосовое... (293)
- Энтузиасты раскопали бета-версию Fallout:... (263)
- Большая и белая. Появились фото топовой... (361)
- Расчёты обнаружили астроид, который трижды... (381)
- Сбой системы охлаждения ЦОД остановил торги... (206)
- Российский рынок IT резко замедлил рост в... (388)
- Фрески из Помпей помогут восстановить... (410)
- Техносбор в России может составить 750... (418)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...