- Xiaomi 17 Ultra чаще делает удачные ночные... (123)
- Чёрный Xiaomi 17 Ultra Leica Edition... (295)
- К Новому году готовы: «МегаФон» разогнал... (298)
- Три типа технологий спутниковой связи в... (260)
- Запуск ракеты «Союз-5» намечен на 2026... (52)
- «Союз-5» не взлетит в 2025 году, как... (161)
- Продукцию «с российскими корнями» хотят... (188)
- Fujitsu участвует в разработке более... (272)
- «Никакой упрощённой или казуальной версии»:... (178)
- Россия вложит еще $9 млрд в «Аккую»: первый... (277)
- В России образовался дефицит Belgee S50 и... (281)
- Замена Starlink из Поднебесной. На орбиту... (195)
- Ноутбуки дешевеют вопреки рынку: Apple,... (311)
- TSMC заявила, что её китайские клиенты... (288)
- Soueast S06 для России — пока что загадка:... (311)
- Ракету «Союз-2.1б» установили на стартовую... (277)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...