- Бюджетные сокращения NASA вынуждают ESA... (400)
- Память объёмом 6 ТБ с пропускной... (424)
- Антарктический детектор зафиксировал... (340)
- Администрация Трампа решила разобраться в... (314)
- Представлен Volvo XC40 (390)
- YouTube тестирует новый формат длинной... (353)
- Представлен обновленный Audi Q5 — это... (258)
- Nissan прокачал Patrol: Patrol Nismo нового... (276)
- AMD представила Pensando Pollara 400 —... (250)
- Расход всего 2 л/100 км и запас хода больше... (236)
- OnePlus с аккумулятором 20 000 мАч и... (247)
- Asus ROG Astral GeForce RTX 5090 Dhahab... (233)
- Самый популярный смартфон Samsung в мире... (228)
- Google разорвёт отношения со Scale AI после... (232)
- Китайские учёные изготовили уникальный... (219)
- Батарея сверхтонкого Samsung Galaxy S25 Edge... (224)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...